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巨磁電阻效應實(shí)驗儀型號；HAD-FFD-MRS-A

由磁場(chǎng)引起材料電阻變化的現象稱(chēng)為磁電阻效應。 目前發(fā)現的磁電阻效應有：正常磁電阻效應（ OMR ）、各向異性磁電阻效應（ AMR ）、巨磁電阻效應（ GMR ）、龐磁電阻效應（ CMR ）及隧穿磁電阻效應（ TMR ）等。

巨磁電阻效應實(shí)驗儀型號；HAD-FFD-MRS-A

　　本儀器提供三種磁電阻傳感器，分別為多層膜巨磁電阻傳感器 、自旋閥巨磁電阻傳感器、各向異性磁電阻傳感器。 幫助學(xué)生了解不同磁電阻效應的原理及應用，儀器安可靠，實(shí)驗內容豐富。 可用于校、中的基礎物理實(shí)驗、近代物理實(shí)驗及綜合性性物理實(shí)驗。

　　應用本儀器可成以下實(shí)驗：

　　1 ．了解不同磁電阻效應原理，測量不同磁場(chǎng)下三種材料磁電阻阻值 R_B ，作 R_B/R₀-B 關(guān)系圖，求電阻相對變化率(R_B-R₀)/R₀ 的大值；

　　2. 學(xué)習磁電阻傳感器定標方法，計算三種磁電阻傳感器靈敏度；

　　3 ． 測量三種磁電阻傳感器輸出 電壓V_輸出與通電導線(xiàn)電 I 的關(guān)系；

　　4 ．作自旋閥巨磁電阻傳感器磁滯回線(xiàn)。

　　儀器主要參數：

　　1 ．多層膜巨磁電阻傳感器 線(xiàn)性范圍 0.15mT － 1.05mT　　　靈敏度 30.0mV/V/mT － 42.0mV/V/mT

　　　　自旋閥巨磁電阻傳感器 線(xiàn)性范圍 -0.81mT － 0.87mT　　　靈敏度 13.0mV/V/mT － 16.0mV/V/mT

　　　　各向異性磁電阻傳感器 線(xiàn)性范圍 -0.6mT － 0.6mT　　　靈敏度 8.0mV/V/mT － 12.0mV/V/mT

　　2 ．亥姆霍茲線(xiàn)圈 單只線(xiàn)圈匝數 N= 200 匝，半徑 10 cm

　　3 ．亥姆霍茲線(xiàn)圈用恒源 輸出電 0 － 1.2A 連續可調

　　4 ．測量用恒源 輸出電 0 － 5A 連續可調