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磁阻效應實(shí)驗儀型號HAD-FD-MR-II
更新時(shí)間:2019-03-11
產(chǎn)品型號:HAD-FD-MR-II
描述:磁阻效應實(shí)驗儀型號HAD-FD-MR-II

磁阻器件由于靈敏度、抗干擾能力強等優(yōu)點(diǎn)在業(yè)、交通、儀器儀表、療器械、探礦等域應用十分廣泛,如:數字式羅盤(pán)、交通車(chē)輛檢測,導航系統、檢測、位置測量等。其中典型的銻化銦( InSb)傳感器是種價(jià)格低廉、靈敏度的磁電阻,有著(zhù)十分重要的應用價(jià)值。

HAD-FD-MR-II磁阻效應實(shí)驗儀型號HAD-FD-MR-II的詳細資料:

磁阻效應實(shí)驗儀型號HAD-FD-MR-II

磁阻器件由于靈敏度、抗干擾能力強等優(yōu)點(diǎn)在業(yè)、交通、儀器儀表、療器械、探礦等域應用十分廣泛,如:數字式羅盤(pán)、交通車(chē)輛檢測,導航系統、檢測、位置測量等。其中典型的銻化銦( InSb)傳感器是種價(jià)格低廉、靈敏度的磁電阻,有著(zhù)十分重要的應用價(jià)值。

磁阻效應實(shí)驗儀型號HAD-FD-MR-II

  本實(shí)驗裝置結構簡(jiǎn)單、實(shí)驗內容豐富,使用兩種材料的傳感器:利用砷化鎵( GaAs)霍耳傳感器測量磁感應強度,研究銻化銦(InSb)磁阻傳感器在不同的磁感應強度下的電阻大小。學(xué)生可觀(guān)測半導體的霍耳效應和磁阻效應兩種物理規律,具有研究性和性實(shí)驗的點(diǎn)。

  該儀器可用于理科大學(xué)的基礎物理實(shí)驗和性綜合物理實(shí)驗,也可用于演示實(shí)驗。

  應用本實(shí)驗儀可以成以下實(shí)驗:

  1.用于測定通過(guò)電磁鐵的電和磁鐵間隙中磁感應強度的關(guān)系,觀(guān)測砷化鎵(GaAs)霍耳元件的霍耳效應。

  2.用于測定銻化銦(InSb)磁阻元件電阻大小磁感應強度的對應關(guān)系。

  3.研究銻化銦(InSb)磁阻元件在不同磁感應強度區域的電阻值變化與磁感應強度的關(guān)系,行曲線(xiàn)擬合,求出磁阻元件電阻與磁感應強度關(guān)系的經(jīng)驗公式。

  4.外接信號發(fā)生器,深入研究磁電阻的交性(倍頻效應),觀(guān)測其有的物理現象(選做)。

  儀器主要參數:

  1.雙路直電源

   電范圍 0-500mA 連續可調,數字電表顯示大小。

   電范圍 0-3mA 連續可調,供傳感器的作電。

  2.數字式毫計

   測量范圍 0-0.5T,分辨率0.0001T,準確率為1%。 

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